电子发烧友网报道（文/黄晶晶）2025年1月在CES展上，响下存储大厂纷纷秀肌肉，储技而他们无一例外地展示了其存储之于AI应用的术产实力。SK海力士、品走三星、响下美光等厂商带来了最新的储技技术和产品，他们引领着AI存储新的术产方向。

SK海力士

SK海力士在CES展上展示了公司在推动人工智能时代进步方面所推出的品走变革性存储器产品。包括SK海力士的响下HBM、服务器DRAM、储技eSSD、术产CXL及PIM产品。品走

作为领先的响下HBM供应商，SK海力士公开了16层HBM3E样品。储技这是术产全球容量最大的HBM产品，48GB 16层HBM3E专门针对人工智能学习和推理进行了优化。目前，该产品仍处于开发阶段。此外，还有DDR5 RDIMM和MCR DIMM，这两款高速服务器DRAM模块是专为数据中心环境量身定制的，能够提供快速的数据处理能力和大容量内存支持。

图源：SK海力士

随着数据存储在人工智能领域的重要性日益凸显，SK海力士特别展示了其创新的eSSD解决方案，包括PS1010、PEB110和PE9010。这些产品专为数据中心量身定制，具备应对人工智能应用所产生的大规模数据所需的卓越可靠性与快速的读写速度。

图源：SK海力士

此外，SK海力士还展示了其前沿的CXL技术，如CMM-DDR5和CMM-Ax，这些技术正在引领内存接口的发展趋势，以提升人工智能系统的灵活性与可扩展性。与此同时，还展出了PIM解决方案，包括GDDR6-AiM和AiMX，这是一种高速且低功耗的加速卡，能够执行复杂计算功能，从而彻底革新人工智能环境中的数据处理效率。

同时，SK海力士还展示了其端侧AI解决方案，以彰显其产品在人工智能服务领域的广泛应用。这些创新产品包括LPCAMM2、移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0，以及业界领先的用于端侧AI PC的最高性能固态硬盘PCB01。通过这一系列展示，SK海力士强调了这些技术如何凭借卓越的能效实现极致性能，为从移动AI到消费电子等多元化应用提供强有力的支持。

三星

在拉斯维加斯举行的CES 2025展上，三星展示全系列以人工智能驱动的智能产品，这些产品已被重新构想，以塑造一个更可持续和更易于访问的世界，连接最好的技术和生活方式。早前，其10.7Gbps LPDDR5X DRAM产品获得了2025年CES创新奖。

三星开发出的业界首款12纳米级LPDDR5X DRAM，支持高达10.7Gbps的业界最快速度。LPDDR5X具有高性能和业界最小的芯片尺寸，针对下一代端侧AI应用进行了优化。三星存储器产品策划团队项目负责人JunYoung Lee和首席工程师JinSuk Chung对LPDDR5X的技术特点进行了解读。

LPDDR5X是一种针对智能手机、平板电脑和笔记本电脑等需要高性能的端侧AI优化的内存解决方案。设计关键是创造一种具有较低的耗电量及提供增强性能的薄型芯片。LPDDR5X通过从策划到设计、工艺、PKG技术等与各开发部门的合作，实现了业界最快的10.7Gbps速度和业界最薄的0.65mm厚度。

为了实现业界最快的10.7Gbps速度，必须确保高速数据传输输入输出电路的性能。 此外，它还利用了降低内部运行电压的设计技术，实现高速运行的同时保持低功耗。

三星的F-DVFS（全动态电压频率调节）技术，是通过在特定的周期间隔内，将实际数据路径中使用的电压降低到某个水平以下，来降低信号传输所涉及的功耗。 三星的F-DVFS技术扩展了此功能，允许在从最小周期到最大周期的整个范围内调整电压。这种灵活性使其更容易根据运行速度改变电压，从而最大限度地降低功耗，延长电池寿命。

图源：三星半导体

三星的LPDDR5X是业界最薄的12nm级DRAM。为了实现这一目标，将两个芯片结合为一个单元，形成四个单元的内聚系统，并通过更改保护半导体电路的电路保护材料——EMC（环氧树脂模塑料）来进行优化。 最后，背面打磨技术的开发至关重要，该技术通过抛光晶圆背面来保持操作特性和可靠性，同时减少晶圆厚度。

图源：三星半导体

为了进行开发和验证，与客户合作是至关重要的。三星半导体内部，特别是负责低功耗高性能产品设计的DRAM设计团队，以及为了打造更薄的LPDDR5X而进行不懈研发的PKG开发团队之间的合作协同效应是非常大的。从内部到整个行业的协作贯穿于开发过程中，最终促使了我们的成功，得到CES创新奖。

随着智能手机市场对可折叠产品的需求不断增加，消费者正在寻找更纤薄的设备。为了减小设备的厚度，必须减小每个组件的厚度。当组件的厚度减小时，设备内部的气流空间得以增加，从而更容易管理热量。这使得智能手机能够在不受因升温带来性能限制的情况下进行高性能操作，如游戏。

图源：三星半导体

三星专家表示，随着人工智能的进步，运行大规模服务器的数据中心市场正在增长，能效正成为一个关键问题。很多人一想到AI内存技术就会想到HBM。然而，市场上除了像HBM这种不计功耗、要求最高性能的产品外，对像LPDDR这种在低功耗下也能达到一定性能水平的产品的需求也日益增长。对于替代现有DDR模块的LP模块产品（LPCAMM、SOCAMM等）来说也是如此。

与DDR相比，LPDDR在能效和高性能操作方面具有优势，因此使用LPDDR的需求日益增长。 此外，LPDDR在个人电脑中的应用也在增加，并且由于电动汽车和自动驾驶的普及，Auto LPDDR5X在汽车市场的使用也在增加。

三星电子正在积极开发2026年下一代解决方案LPDDR6。与LPDDR5X相比，LPDDR6将在性能和能效方面进一步升级。另外，LPCAMM、SOCAMM等模块型产品目前正在与客户公司进行验证，正在准备开发高性能、低功耗DRAM技术，如通过增加数据输入输出数量来确保高带宽的LPW，以及增加计算功能的LP-PIM。 预计这将超越端侧AI，扩展到更广泛的应用领域。

美光

美光科技在2025CES期间宣布扩大其Crucial消费者内存和存储产品组合，包括推出高速CrucialP510 SSD，并扩大其现有DRAM产品组合中的密度和外形选项，以提供更广泛的选择和灵活性给消费者。P510具有高达11,000/9,550兆字节每秒(MB/s)的读写速度，为大众带来了惊人的Gen5性能。

图源：美光科技

新的SSD产品P510专为笔记本电脑和台式机设计，采用全新、更省电的架构，比之前CrucialGen5 固态硬盘省电25%，以支持更长的电池寿命。

其快速的读写速度使用户能够最大限度地提高生产力，并从游戏到创意应用，享受更流畅、更沉浸式的体验。这款SSD提供1TB和2TB容量选项，带有集成散热片。P510还提供了单面设计，易于安装，即使在支持Gen5的较新笔记本电脑中也是如此。

Crucial系列还推出了带有散热片的 Crucial P310 2280 SSD。集成的散热片设计用于与 PlavStation5配合使用，但也可以用于台式机，为桌面游戏玩家和创作者提供无限制的卓越性能。该 SSD 的读取速度为 7,100 MB/S，提供快速、可靠且经济高效的存储和容量。

小结：

眼下存储厂商除了在高带宽内存HBM上竞争激烈、加速HBM4的研发和量产之外，高速、低功耗的存储产品在AI应用爆发的时代更加不可或缺，高性能的存储产品对于AI数据处理、存储效能至关重要，这将推动存储技术持续创新。