近期，金兰金兰功率半导体（无锡）有限公司正式推出 LE3系列三款215KW INPC三电平储能模块，功率瞄准1500V智慧储能主流方案，半导布以"高效+可靠+灵活"为核心定位，列款从芯片到系统层层优化，电平为大储场景提供高性价比国产替代方案。模块

随着光伏新能源技术发展，金兰1500V智慧解决方案已普遍应用于全球地面电站，功率并渗透至大型分布式屋顶。半导布更高电压、列款更大功率、电平更高容配比显著降低度电成本，模块但对功率模块的金兰耐压、散热、功率可靠性提出了更严苛要求。半导布金兰LE3系列正是针对这一行业痛点而来。

JL3I600V110SE3E7SS：600A / 1100V INPC，搭配Si₃N₄ AMB陶瓷基板，极限工况下功率可达 280KW以上，是三款中性能天花板。

JL3I600V110SE3E7SN：600A / 1100V INPC，标配方案，三相效率处于行业领先水平。

第三款同样基于600A / 1100V INPC平台，面向不同效率与成本需求提供灵活选型空间。

三款均采用 LE3封装，兼容Easy3B封装标准，可直接适配1500V储能变流器（PCS）主流拓扑。

六大核心技术优势

芯片层面，搭载自研 第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT，低压降、低动态损耗，专为高频高功率场景设计。

耐压层面，IGBT耐压1100V，在损耗与客户端电压应力之间取得最佳平衡。

散热层面，选用 ZTA/AMB基材（Si₃N₄陶瓷+铜底板），成品翘曲控制在0.3mm以内，导热硅脂涂覆效果优异，高温工况下散热性能突出。

可靠性层面，通过全套芯片级加封装级可靠性验证，确保长期运行稳定性。

灵活性层面，开放模块模型供客户配合工况仿真，支持多功率段定制化开发。

可追溯性层面，MES加ERP系统保障生产信息全链路可追溯，品质管控到位。

额定电流600A，额定电压1100V，标准功率215KW，极限功率280KW以上。封装为LE3焊接Pin，兼容Easy3B。拓扑结构为INPC三电平，主要面向1500V储能PCS、大型地面电站及工商业储能场景。

金兰功率半导体成立于2021年，系A股上市公司 新洁能（605111）子公司，注册资本2亿元，坐拥2万㎡净化厂房。首期产能6万只/月，二期建成后年产能达 400万只。目前已获37项专利，通过ISO9001认证，产品覆盖650V/1200V全电压平台，客户涵盖国内头部光伏逆变器厂商与储能系统集成商。

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